日本富士通聯合NIMS在美國發布無鏑釹磁設計規則2016-01-14

東京，2016年1月12日（JCN電訊）消息，富士通公司今天宣布，與國家物質及材料研究機構（NIMS）和富士通實驗室有限公司聯合研究，開發出了世界上最大的反向磁化模擬裝置，用網狀物覆蓋3億微細區域。

該裝置的開發基于（1）大規模反向磁化；（2）2013年開發的首個模擬技術；（3）這項新的發展提供了更快的計算算法和更有效的大規模并行處理，模擬在計算機“京”上運行；（4）此外，通過利用該技術，富士通進行大規模反向磁化模擬厘清了一種類型的永磁體即釹磁鐵細微結構和磁力之間的關聯；（5）結果成功地展示了一種方法，開發出兩倍以上（矯頑力）于以往磁鐵強度的釹磁鐵，而且不含鏑；(6)在常規的釹磁鐵中，用于增強矯頑力的鏑合金不可或缺。

這些仿真技術提供了一個明確的不依賴于鏑的高性能釹磁鐵的設計規則。

富士通和NIMS將在第13屆聯合MMM-INTERMAG大會聯合發布這些結果，該會于2016年1月11-15日在加利福尼亞州圣迭戈舉行。

元素的固有屬性應該只能被更先進的元素超越替代，方法無法改變內質。對于釹磁是否需要用鏑，不應該為了省鏑、棄鏑去做研究，而應該去深入研究有鏑的益處；當然，可以不用的時候自然不用。